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田口 光正; 森山 正洋*; 南波 秀樹; 平塚 浩士*
Radiation Physics and Chemistry, 64(2), p.115 - 122, 2002/05
被引用回数：4 パーセンタイル：29.2(Chemistry, Physical)数百MeVの重イオン照射によりポリビニルアルコールフィルム中に生成するアクリジンC-ラジカルの生成G値は各イオン種について線エネルギー付与(LET)の増加に伴い減少した。また、ラジカル収量は照射イオンのフルエンスに依存した。この結果を、ケミカルトラックモデルを用いて解析したところ、その半径は、照射イオン種が同じ場合には入射イオン速度の増加に伴い減少すること、さらに同じ速度ならばイオンの原子番号の増加に伴い増加することがわかった。
田口 光正; 早野 一樹*; Xu, Y.; 森山 正洋*; 小林 泰彦; 平塚 浩士*; 大野 新一*
Radiation Physics and Chemistry, 60(4-5), p.263 - 268, 2001/03
被引用回数：16 パーセンタイル：73.13(Chemistry, Physical)フェニルアラニン水溶液へNeイオン照射を行い、OHラジカルとフェニルアラニンとの反応によって生成する3種類のチロシンをHPLCによって定量分析した。イオンが止まるまでの全チロシン生成量と、入射エネルギーとの関係から微分G値(イオンのエネルギーとともに連続的に変化するG値)が求められた。微分G値は300~500eV/nmのLETでは
線よりも大きな値を示すが、LETの増加に伴いその値が減少することがわかった。
大野 新一*; 古川 勝敏; 田口 光正; 小嶋 拓治; 渡辺 宏
Radiation Physics and Chemistry, 60(4-5), p.259 - 262, 2001/03
被引用回数：5 パーセンタイル：38.96(Chemistry, Physical)気体試料へのイオン照射による電離量分布測定の結果得られたイオンの飛跡周りの空間的な線量分布を解析することにより、水中を走る重イオンの2次電子による径方向のエネルギー付与を統一的にまとめることができた。線または電子線照射した場合の生成G値の線量依存性をトラック内の線量分布に適用する。生成物量を半径0~
にわたって積分することによって種々のイオン照射によるG値を見積もる。フリッケ線量計とアラニン線量計について、本手法により得られた結果と実験値とを比較する。
田口 光正; 松本 裕一*; 森山 正洋*; 南波 秀樹; 青木 康; 平塚 浩士*
Radiation Physics and Chemistry, 58(2), p.123 - 129, 2000/04
被引用回数：6 パーセンタイル：42.55(Chemistry, Physical)1,2,4,5-tetracyanobenzene(TCNB)をドープしたPVAフィルムに数百MeVのC及びNe,Arイオンを照射した。照射後の吸収スペクトル測定によりTCNBラジカルアニオンの生成が確認された。吸光度は低フルエンス領域において増加し、高フルエンスでは減少した。このフルエンス依存性はラジカルの生成及び消滅を示しており、円筒状のケミカルトラックモデルを用いて解析したところ、トラック半径が見積もられた。トラック半径はイオンの核子あたりのエネルギーつまり比エネルギーの増加に伴い小さくなった。さらに同じ比エネルギーでは照射核子が大きいほど半径も大きくなることがわかった。また、吸光度とESR測定の結果から求められたラジカル生成のG値は線照射と比べて小さかった。
田口 光正; Xu, Y.; 小林 泰彦; 森山 正洋*; 平塚 浩士*
JAERI-Review 99-025, TIARA Annual Report 1998, p.25 - 27, 1999/10
L-フェニルアラニンを超純水に濃度13mMで溶解させ、Heガスで飽和し207MeV Cイオンを照射した。HPLC測定したところ、フェニルアラニン自身、さらにp-,m-,o-チロシンのシグナルが観測された。クロマトグラム上のピーク面積からチロシンの生成量を求めたところ、チロシン生成のG値は線、イオン照射ともに0.30
0.03と見積もられた。つまり無酸素状態では、線でもCイオンでもOHラジカルは同程度生成したと考えられる。次にN
Oガスを飽和した試料に放射線照射し、同じくチロシンの生成量を調べた。NOは水和電子を素早くスキャベンジしほぼ同量のOHラジカルを生成する。そこでチロシン生成のG値とOHラジカル、水和電子のG値とは次の関係式が成り立つ; G(Tyr)=f
G
(OH)
f(G(OH)+G(e
))。fは生成した全OHラジカルのうちチロシン生成で消費される割合を示す。NO飽和した試料へ線及びCイオン照射した場合、チロシン生成のG値は0.580.04及び0.390.02と見積もられた。線照射した場合のOHラジカル及び水和電子のG値は2.8及び2.7であることから、fは0.105と求められた。この値を用いることによりCイオン照射での水和電子のG値は0.9(0.39=0.105(2.8G(e)))と見積もられた。
田口 光正; 松本 裕一*; 南波 秀樹; 青木 康; 平塚 浩士*
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 134(3-4), p.427 - 430, 1998/00
被引用回数：5 パーセンタイル：73.79(Instruments & Instrumentation)1,2,4,5,-テトラシアノベンゼン(TCNB)をドープしたPVAフィルムに330MeV,Ar
及び220MeV,C
イオンを照射したところ、340-480nmにTCNBアニオンラジカルに相当する吸収スペクトルが得られた。その生成量は両イオン照射において共に低フルエンス領域で増加、高フルエンス領域で減少することが分かった。1個のイオンによって引き起こされる領域をケミカルトラックとして、ラジカル生成量のフルエンス依存性をシミュレーションしたところ、Arでは50nm、Cでは20nmの半径を持つことが分かった。
田口 光正; 青木 康; 南波 秀樹; 渡辺 立子*; 松本 裕一*; 平塚 浩士*
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 132(1), p.135 - 141, 1997/00
被引用回数：8 パーセンタイル：56.73(Instruments & Instrumentation)TIARA内のサイクロトロンに接続した垂直ポートに時間分解発光測定を行うためのシングルフォトンカウンティングシステムを構築した。高分子フィルム中のナフタレンにArイオン照射したところ、S
励起状態からの発光が観測された。さらに発光減衰を測定したところ早い成分が観測され、LET依存性を示すことが分かった。これはシミュレーションの結果、LETの増加にともない励起される分子の数が相対的に増えることが原因であることが分かった。
工藤 久明; 貴家 恒男; 瀬口 忠男; 勝村 庸介*
Polymer, 37(21), p.4663 - 4665, 1996/10
被引用回数：21 パーセンタイル：64.98(Polymer Science)高分子材料の照射効果(放射線劣化)のLET依存性を調べるため、ポリメタクリル酸メテル(PMMA)とガラス繊維強化樹脂(GFRP)に、サイクロトロンからの高エネルギー(30, 45MeV)プロトンを照射し、3点曲げ試験、分子量測定、ガラス転移温度測定を行った。曲げ強度, 分子量, ガラス転移温度とも線量とともに低下したが、線量に対する挙動はCo-60ガンマ線に対するものと同じだった。Co-60ガンマ線
30MeVプロトンの範囲では、LET効果は見られなかった。
工藤 久明; 貴家 恒男; 瀬口 忠男; 勝村 庸介*
Polymer, 37(16), p.3737 - 3739, 1996/08
被引用回数：15 パーセンタイル：53.77(Polymer Science)サイクロトロンからの高エネルギーのプロトン, ヘリウム, 炭素, 酸素イオンをポリエチレンとテフロンに照射し、引張試験を行い、力学特性の変化にLET効果があるか否かを調べた。破断伸び, 破断強度とも電子線照射の場合と全く同様に変化し、LET効果は見られなかった。材料の力学特性は巨視的平均線量または表面の線量に従って劣化すると考えられる。
工藤 久明; 貴家 恒男; 瀬口 忠男; 勝村 庸介*
Polymer, 37(14), p.2903 - 2908, 1996/07
被引用回数：27 パーセンタイル：71.96(Polymer Science)CTA(三酢酸セルロース)とPMMA(ポリメタクリル酸メチル)に、H
炭素, 酸素イオンを照射し、吸光度および分子量の変化を調べた。高エネルギーのプロトンやヘリウムイオンでは、変化の仕方は電子線やガンマ線の場合と全く同様でLET効果が無かったが、炭素・酸素イオンでは収量が小さくなった。感度をLETに対してプロットしたところ、あるLETまでは感度が一定で、それ以上では感度が小さくなるしきい値が認められた。このしきい値を、低LET時の孤立スパーが連続してトラックを形成する境界と解釈した。
工藤 久明; 貴家 恒男; 瀬口 忠男
Radiation Physics and Chemistry, 48(5), p.545 - 548, 1996/00
被引用回数：7 パーセンタイル：54.39(Chemistry, Physical)高分子材料のイオン照射に対する耐放射線性を調べるため、イオン照射装置を整備し、サイクロトロンからの高エネルギーイオン(10~45MeVのプロトン等)をポリエチレン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリメチルメタクリレート、ガラス遷移強化エポキシ樹脂を照射し、曲げ試験および引張り試験を行った。曲げ強度や引張り破断延びの吸収線量に対する変化は、2MeV電子線やCo-60ガンマ線の場合とほとんど同様であった。
